不全是,电感电容不是用pn结做的,金属间电容精度比较高,一般在数百fF到数十pF,内部结构不是pn结,MOS管的栅电容电容大但精度差,一般芯片内部空余的地方都会填满MOS电容用于电源退耦,但与片外退耦电容相比还是小的可怜。
diode和BJT是用PN结做的;MOS管通过形成反型层导电,不过MOS管与硅衬底之间的隔离使用反偏PN结实现的。
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