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三极管死区电压和导通电压的区别

更新时间： 2020-09-16 00:00:00

三极管死区电压是指三极管在有截止状态转向放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.5V，锗管是0.1V；而导通电压是指三极管处于放大状态时的电压Ube，一般硅管为0.6~0.7V，锗管是0.2-0.3V。

标签：三极管死区电压区别

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